1、元素雜(zá)質來(lái)源
 ×δ>™; 原料藥及其制(zhì)劑中的(de)元素雜(zá)質可(kě)通(tōng)過多(duō)種→ε途徑引入,如(rú):生(shēng)産設備、水(shuǐ)、原輔料(合λβ↔成中的(de)催化(huà)劑殘留)、生(shēng)産設備或容器♣∏(qì)密閉系統等。由于元素雜(zá)質不(bù)能(néng)為(wèi)患者提供治療效€βπ₹果,因此應将元素雜(zá)質控制(zhì)在可(kě)接受←♣的(de)限度範圍內(nèi)。
2、業(yè)務範圍
公司配♣≥≤備電(diàn)感耦合等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)質譜儀 (ICP-MS)、原子(zǐ)吸收光(guāng)譜儀(AAS)等設備,可(kě)按ICH Q3D指導原則和(hé)USP要(yào)求對(duì)原輔料和(hé)制(zhì)劑中的(de)元素雜(zá)質進行(xíng↕×'≠)分(fēn)析。
1類(藥品生(shēng)産中禁用(yòn↓₹g)或限制(zhì)使用(yòng)):Cd、Pb、As、Hg。
2A類(藥品中出現(xiàn)的(de)可(kě)能(néng)性較高(gāo),給藥途徑依賴型的( β≥↓de)人(rén)體(tǐ)毒素,):Co、V、Ni;
2B類(藥品中的(de)出現(xiàn)的(de)概率相(xiàng)對(du∑₽βì)較低(dī),給藥途徑依賴型的(de)人(rén)體(tǐ)毒素):TI、Au、Pd、Ir、OS、Rh、Ru、Se、Ag、Pt; 3類:Li、Sb、Ba、Mo、Cu、Sn、Cr。
3類(吸入和(hé)注射途徑中中需考慮,毒性相(xiàng)對(duì)較低(dγ←ī)):Ba、Cr、Cu、Li、Mo、Sb和(hé) Sn。
其他(tā)元素:Al、B、Ca、Fe、K、Mg、Mn、Na、W和(hé) Zn等。
3、元素雜(zá)質測定流程
4、相(xiàng)關技(jì)術(shù)要∑©∞(yào)求
ICH Q3D GUIDELINE FOR ELEMENTAL IMPURITIES(元素雜(zá)質指導原則)
USP<232> ELEMENTAL IMPURITIES-L§↕IMITS(元素雜(zá)質-限度)
USP<233> ELEMENTAL α≈IMPURITIES- PROCEDURES(元素雜(zá)質-方法)